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最新突触后膜电位变化模拟测试卷

考试时间：120分钟?总分：100分?年级/班级：高中一年级

最新突触后膜电位变化模拟测试卷

一、单选题

1.突触后膜上产生兴奋性突触后电位（EPSP）的主要原因是

A.突触前膜释放的递质与突触后膜上的受体结合后，导致钠离子内流

B.突触前膜释放的递质与突触后膜上的受体结合后，导致钾离子外流

C.突触前膜释放的递质与突触后膜上的受体结合后，导致氯离子内流

D.突触前膜释放的递质与突触后膜上的受体结合后，导致钙离子内流

2.抑制性突触后电位（IPSP）产生的主要机制是

A.钠离子内流导致膜电位去极化

B.钾离子外流导致膜电位超极化

C.氯离子内流导致膜电位去极化

D.钙离子内流导致膜电位超极化

3.突触传递的化学递质释放过程主要依赖于

A.突触后膜的主动运输

B.突触前膜的胞吐作用

C.突触后膜的被动扩散

D.突触前膜的简单扩散

4.突触后膜上离子通道的开放通常由以下哪种信号触发

A.突触前膜的钙离子浓度变化

B.突触后膜的电压变化

C.突触前膜的化学物质释放

D.突触后膜的机械刺激

5.突触传递具有单向性的原因是

A.突触前膜和突触后膜上的受体类型不同

B.突触前膜释放的递质只能作用于突触后膜

C.突触间隙的宽度固定不变

D.突触后膜上的离子通道只能被特定递质激活

6.突触传递的潜伏期