1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 工业设计

60V 52A N沟道功率MOSFET技术特性与应用分析.pdfVIP

  • 1
  • 0
  • 约14.28万字
  • 约 16页
  • 2026-09-02 发布于北京
  • 举报

60V 52A N沟道功率MOSFET技术特性与应用分析.pdf

    2013年4月

    FQP50N06LN沟道

    QFET®

    MOSFET60

    V，52.4

    A，21

    mΩ

    产品描述特性

    这款N沟道增强型功率MOSFET采用飞兆®专有的平面•52.4

    A，60

    V，RDS(导通)

    =21mΩ

    (最大值)

    @VGS

    条带和DMOS技术制造。该先进MOSFET技术通过特殊优化，=10V，ID

    =26.2

    A

    可降低导通电阻，并卓越的开关性能与高雪崩耐量。适•低栅极电荷（典型值.

    24.5

    nC）

    用于开关电源、音频放大器、直流电机控制及可变开关电源•低反向传输电容（典型值.90

    pF）

    等应用场景。

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >