2026年800V平台驱动下车规级SiC功率模块先进封装技术（银烧结 AMB基板）演进趋势.docxVIP

PAGE2

2026年800V平台驱动下车规级SiC功率模块先进封装技术（银烧结/AMB基板）演进趋势

摘要

本报告聚焦于新能源汽车800V高压平台驱动下，车规级碳化硅（SiC）功率模块先进封装技术的演进趋势，深度剖析银烧结技术与AMB活性金属钎焊陶瓷基板两大核心工艺在解决SiC模块高热流密度与寄生参数难题中的关键作用。

研究范围覆盖全球及中国新能源汽车市场，时间跨度以2024年为基准，重点预测至2026年的技术路径与市场渗透格局。核心发现表明，随着800V架构车型在2026年进入大规模放量期，传统锡焊与DBC基板方案因无法承受SiC芯片超过200W/cm2的热流密度而快速退潮。银烧结凭借其远超锡焊的低热阻与高可靠性，正从芯片连接向全烧结堆栈演进；AMB基板则凭借卓越的抗热震性与机械强度，成为SiC模块高功率密度的必然选择。

报告预测，至2026年，银烧结与AMB基板将在车规级主驱SiC模块中全面渗透，市场渗透率将分别突破85%与90%，成为行业标配。技术层面，有压银烧结大面积烧结空洞率控制将降至1%以下，而无压银烧结技术将首次在部分高端车型中实现量产突破。市场格局呈现国际巨头引领、国内头部封装厂加速追赶的态势，设备与材料环节的国产替代成为结构性机会。投资建议方面，重点关注具备银烧结自主制程能力的Tier1厂商，以及AMB基板核心原材料——高纯度氮化硅陶瓷基板的本土供应商。