低压熔断器第4部分:半导体器件保护用熔断体的补充要求
StandardizationDevelopmentReport:Low-voltagefuses-Part4:Supplementaryrequirementsforfuse-linksfortheprotectionofsemiconductordevices
摘要
随着以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体技术的规模化应用,以及光伏并网、储能变流、电动汽车驱动与充电、轨道交通牵引等大功率电力电子装置的迅猛发展,功率半导体器件对短路保护的快速性、限流能力和分断可靠性提出了前所未有的严
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