半导体测试项目说明.docx

半导体测试项目说明

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基本原理

不同阶段的测试目标

器件开发阶段的测试：

特征分析：保证设计的正确性，决定器件的性能参数

产品测试：确保器件的规格和功能正确的前提下减少测试时间提高成本效率

可靠性测试：保证器件能在规定的年限之内能正确工作

来料检查：保证在系统生产过程中所有使用的器件都能满足它本身规格书要求，并能正确工作

器件制造阶段的测试：

圆片测试：在圆片测试中，要让测试仪管脚与器件尽可能地靠近，保证电缆，测试仪和器件之间的阻抗匹配，以便于时序调整和矫正。因而探针卡的阻抗匹配和延时问题必须加以考虑

封装测试：器件插座和测试头之间的电线引起的电感是芯片载体及封装测试的一个首要的考虑因素

特征分析测试：包括门临界电压、多域临界电压、旁路电容、金属场临界电压、多层间电阻、金属多点接触电阻、扩散层电阻、接触电阻以及FET寄生漏电等参数测试

通常的工艺类别

TTL

ECL

CMOS

NMOS

Others

实施测试的器件叫做“DUT”（deviceUnderTest）或者“UUT”（UnitUnderTest），数字电路的引脚分为“信号”，“电源”，“地”三部分；包括了“输入”，“输出”，“三态”，“双向”。“电源”和“地”统称为电源脚，因为他们共同组成供电回路。

CC：TTL器件供电输入引脚

DD：CMOS器件的供电输入引脚

SS：为VCC和VDD提供电流回路