CN119421452A 一种碳化硅阶梯沟槽mosfet及其制造方法 （安徽芯塔电子科技有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119421452A

(43)申请公布日2025.02.11

(21)申请号202411596332.0

(22)申请日2024.11.11

(71)申请人安徽芯塔电子科技有限公司

地址241000安徽省芜湖市弋江区芜湖高

新技术产业开发区芜湖科技产业园B3

栋

(72)发明人倪炜江郝志杰

(74)专利代理机构北京邦创至诚知识产权代理

事务所(普通合伙)11717

专利代理师张宇锋

(51)Int.Cl.

H10D30/60(2025.01)

H10D30/01(2025.01)

H10D62/10(2025.01)