《硅片体金属镍、铜含量的测定 外扩散法》标准立项修订与发展报告.docxVIP

《硅片体金属镍、铜含量的测定外扩散法》标准立项修订与发展报告T-469《硅片体金属镍、铜含量的测定外扩散法》标准发展报告

EnglishTitle:StandardDevelopmentReportforDeterminationofBulkMetalNickelandCopperContentinSiliconWafersbyOut-DiffusionMethod

摘要

随着集成电路制造工艺不断向纳米尺度推进，硅片体金属杂质控制已成为提升器件良率与可靠性的关键环节。镍和铜作为硅片中常见的过渡族金属杂质，具有极高的扩散系数和深能级电学活性，即使在极低浓度下也会显著劣化少数载流子寿命和栅氧化层完整性。本报告围绕国家标准计划《硅片体金属镍、铜含量的测定外扩散法》（计划编号T-469）展开系统论述，从标准立项背景、技术原理、国内外标准现状、起草单位情况、标准主要内容及预期效益等维度进行全面分析。该标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（TC203）归口，由其材料分会（TC203SC2）执行，主管部门为国家标准化管理委员会。标准采用外扩散—石墨炉原子吸收光谱法（GFAAS）或电感耦合等离子体质谱法（ICP-MS）联用的技术路线，通过高温热处理使体金属杂质外扩散至硅片表面，再经化学腐蚀液收集并进行定量分析