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《边发射半导体激光器外延片增益谱测试方法》标准立项修订与发展报告

边发射半导体激光器外延片增益谱测试方法标准发展报告

标准号T-469

EnglishTitle:StandardDevelopmentReportforTestMethodforGainSpectrumofEdge-EmittingSemiconductorLaserEpitaxialWafers

摘要

随着光通信、激光雷达、工业加工及医疗美容等领域的快速发展，边发射半导体激光器作为核心光源器件，其性能优劣直接决定了终端系统的整体水平。外延片作为激光器芯片的基石，其增益谱特性是反映材料质量、结构设计与工艺稳定性的关键参数。然而，长期以来国内外缺乏统一的边发射半导体激光器外延片增益谱测试方法标准，导致各研发及生产单位在测试条件、数据处理和结果表征等方面存在显著差异，制约了行业的技术交流与产品质量一致性提升。本报告基于国家标准计T-469《边发射半导体激光器外延片增益谱测试方法》的立项背景，系统阐述了该标准的研制意义、技术内容框架、国内外相关标准现状及预期实施效益。该标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（TC203）归口，由其材料分会（SC2）组织执行，主管部门为国家标准化管理委员会。标准的制定将填补我国在该领域测试方法标准的空白，为半导体激光