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基于小信号等效电路的SOIMOSFET体电流模型参数提取研究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着纳米电子学技术的迅猛发展，半导体器件尺寸不断缩小，传统体硅材料的性质限制逐渐成为提升器件性能的瓶颈。在此背景下，SOI（Silicon-On-Insulator，绝缘体上硅）技术应运而生并得到广泛应用。SOIMOSFET（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）相较于传统MOSFET，在开关特性、噪声性能和耐压能力等方面表现更为出色，因而在射频、功率电子等诸多领域得到了广泛的应用。在射频领域中，5G通信技术的发展对射频器件的性能提出了更高要求，SOIMOSFET凭借其低寄生电容和高开关速度等优势，能够有效满足5G通信中对高频、高速信号处理的需求，被广泛应用于射频前端电路中的功率放大器、低噪声放大器等关键器件。在功率电子领域，随着新能源汽车、智能电网等行业的快速发展，对高效、高功率密度的功率器件需求日益增长，SOIMOSFET的高耐压能力和低导通电阻特性，使其在功率转换和控制电路中发挥着重要作用。

体电流作为MOSFET器件的重要特征之一，对于准确描述器件的工作特性至关重要。然而，由于SOI器件的制造工艺和结构与传统MOSFET存在较大差异，使得体电流模型参数的提