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硅光芯片集成工艺的最新突破路径

一、硅光芯片集成工艺的发展背景与核心痛点

（一）算力需求驱动下的硅光技术价值定位

随着数字经济与人工智能技术的快速发展，全球算力需求呈现爆发式增长态势，数据中心内部与数据中心之间的数据传输通量持续攀升，传统基于铜介质的电互连技术在传输速率提升到每秒百吉比特以上时，面临着功耗陡增、信号串扰严重、传输距离受限等难以突破的物理瓶颈。根据行业测算，当单通道传输速率进入每秒太比特级别时，传统电互连的功耗将占到交换系统总功耗的一半以上，成为制约算力网络扩容的核心堵点。硅光技术以硅基衬底为基础，通过微纳加工工艺制备各类光电器件，以光子作为信息传输与处理的载体，兼具超高速率、超低功耗、抗电磁干扰等优势，且与传统半导体CMOS工艺具有天然的兼容性，适合大规模量产，被公认为后摩尔时代突破互连瓶颈、延续摩尔定律生命力的核心技术路径，目前已经在高速光通信、激光雷达、生物传感、量子信息等领域展现出巨大的应用潜力（中国科学院半导体研究所，2023）。

（二）传统硅光集成工艺长期面临的共性瓶颈

硅光技术的概念提出已有数十年时间，但长期以来受限于集成工艺的短板，始终未能实现大规模的全功能集成应用。传统硅光集成工艺面临四大共性瓶颈：其一是硅材料本身的物理属性局限，硅属于间接带隙半导体，室温下的电致发光效率极低，难以直接制备高性能片上光源，同时硅在光通信常用的波段吸收系数较弱，无法独立