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- 2026-09-02 发布于北京
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November2010
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FQD3P50TM
F085|end▁
of▁sentence|
500V
P沟道MOSFET|end▁of▁
sentence|
概述|end▁of▁sentence|功能|end▁of▁sentence|
•
这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条纹DMOS技术制造。
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500V
P沟道MOSFET|end▁of▁
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概述|end▁of▁sentence|功能|end▁of▁sentence|
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这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条纹DMOS技术制造。
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