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2026年半导体物理核心学习资料完整版.pdf

2026年半导体物理核心学习资料完整版.pdf

    2026年半导体物理核心学习资料

    考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

    程辐射复合产生光子非辐射复合无光子产生常伴随声子等能量释放解析思路反向电流增大温度升高本征载流子浓度ni增大导致反向饱和电流增大同时可能加速某些复合过程但ni的增加是主要因素

    一、选择题（每题只有一个正确答案，请将正确选项字母填入括号内）

    1.在绝对零度下，本征硅的能带结构中，导带底和价带顶之间存在的能量间

    隙称为？

    A.载流子迁移率

    B

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