场效应管原理专项试题及详细答案.docxVIP

场效应管原理专项试题及详细答案

适用范围：电子技术基础、模拟电子技术课程随堂测试、期末复习

考试时长：90分钟

满分：100分

一、填空题（每空2分，共20分）

1.场效应管是一种________控制型半导体器件，通过改变________电压来控制漏极电流。

2.场效应管根据结构可分为________和________两大类。

3.N沟道增强型MOS管的开启电压为________值，只有当栅源电压________该数值时，管子才会形成导电沟道。

4.结型场效应管（JFET）正常放大工作时，栅源PN结必须处于________状态。

5.场效应管与三极管相比，输入电阻更________，噪声更________。

6.MOS管工作在恒流区的核心条件是：发射结导通、________。

二、单项选择题（每题3分，共30分）

1.场效应管的控制机理是（）

A.电流控制电流B.电压控制电流C.电压控制电压D.电流控制电压

2.下列关于JFET的说法，正确的是（）

A.栅极电流较大B.只能工作在正偏状态C.输入电阻极高D.存在少子导电

3.N沟道耗尽型MOS管的开启电压（）

A.大于0B.小于0C.等于0D.无固定数值

4.为保证MOS管工作在恒流放大区，漏源电压应满足（）

A.大于栅源过驱动电压B.小于栅源