微电子与集成电路设计导论第2版：半导体器件物理基础PPT教学课件.pptx

;本节内容_p-n结;图3.1.1（a）PN结的简化结构图；

（b）理想均匀掺杂PN结的掺杂剖面;当p型和n型半导体紧密结合时，由于在结上载流子存在大的浓度梯度，载流子会扩散．在p侧的空穴扩散进入n侧，而n侧的电子扩散进入p侧。;;图3.1.3平衡状态下的PN结;半导体的总电荷中性要求p侧每单位面积总负空间电荷必须精确地和n侧每单位面积总正空间电荷相同：;其中Em是存在x＝0处的最大电场;;图3.1.3平衡状态下的PN结;p-n结形成之前，p型和n型半导体材料是彼此分离的，其费米能级在p型材料中接近价带边缘，而在n型材料中则接近导带边缘．p型材料包