集成电路制造技术与实践：离子注入工艺PPT教学课件.pptx

第5章离子注入工艺;

5.1离子注入基本原理;

5.1.2离子注入技术特性

离子注入技术的主要优点如下：

(1)注入温度低。离子注入时，衬底温度保持在室温或低于400℃，因此二氧化硅、氮化硅、光刻胶等都可以作为选择掺杂的掩蔽层，而热扩散工艺的掩模必须是能耐高温(800～1000℃)的材料。

(2)横向扩散小。离子注入具有方向性，注入杂质相对于掩模图形以接近垂直的角度入射，横向效应比热扩散小得多，这一特点有利于器件特征尺寸的缩小。

(3)可独立控制浓度分布及结深。注入能量决定离子注入深度(结深)，注入剂量决定注入浓度，因此可实现离子注入浓度分布及结深的独立控制。;

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