CN119840196A 双面结构均匀的金属化电容器用基膜及其制备方法 （泉州嘉德利电子材料股份公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119840196A

(43)申请公布日2025.04.18

(21)申请号202510339894.5

(22)申请日2025.03.21

(71)申请人泉州嘉德利电子材料股份公司

地址362100福建省泉州市泉州台商投资

区杏秀路790号

(72)发明人杜建强黄炎煌郭汉乡王锦清黄强

(74)专利代理机构泉州协创知识产权代理事务所(普通合伙)35231

专利代理师王伟强

(51)Int.Cl.

B29C69/02(2006.01)

B29C41/26(2006.01)

B29C41/46(2006.01)

B29C41/52(2006.01)

B29C55/16(2006.01)

H01G4/33(2006.01)

B29L31/34(2006.01)

B29K23/00(2006.01)

权利要求书1页说明书7页附图3页

(54)发明名称

双面结构均匀的金属化电容器用基膜及其

制备方法

(57)摘要

CN119840196A本发明涉及电容薄膜技术领域，具体涉及一种双面结构均匀的金属化电容器用基膜及其制备方法。其中厚片依次经前辊、过渡辊和后辊向后运动且三辊与厚片的接触面相同，前辊和后辊的温度均为105℃~140℃,过