2.半导体中的杂志和缺陷能级2022.pdfVIP

第2章半导体中的杂质和缺陷能级

2.1硅、锗晶体中的杂质能级

2.2Ⅲ-Ⅴ族化合物中的杂质能级

*2.3氮化镓、氮化铝中的杂质能级

2.4缺陷、位错能级

1

Ø在实际应用的半导体材料晶格中，总是存在与理想偏离的情况：

1.原子并不是静止在具有严格周期的晶格的格点位置上，而

是在其平衡位置附近振动

2.材料含有杂质

3.半导体晶格结构并不完整，存在缺陷

•点缺陷（空位、间隙原子）

•线缺陷（位错）

•面缺陷（层错）

Ø实践表明，极微量的杂质和缺陷，会对半导体材料的物理性质和

化学性质产生决定性的影响，同时也严重影响半导体器件的质量。

53

•1个B原子/10个Si原子→在室温下电导率提高10倍