中南-半物-末考试题-2016.docVIP

中南大学考试试卷

2017-2018学年2学期时间100分钟2018年6月15日

课程半导体物理学48学时3学分考试形式：开卷

专业年级：应物15级总分100分，占总评成绩60%

注：此页不作答题纸，请将答案写在答题纸上

计算中可能用到物理量的取值

波尔兹曼常数k=1.38×10-23J/K；电子电量：q=1.602×10-19C；室温：T=300K；

真空中介电常数：ε0=8.854×10-12F/m;电子静止质量：m0=9.108×10-31kg

选择题（每题2分，共20分）

(1)在硅和锗的能带结构中，在布里渊中心存在两个极大值重合的价带，外面能带的曲率，对应的有效质量，称该能带中的空穴为重空穴。（）

A.大大;B.小小；C.小大；D.大小；

(2)同一种施主杂质掺入甲、乙两种半导体，如果甲的相对介电常数εr是乙的3/4，mn*/m0值是乙的2倍，那么用类氢模型计算结果是（）。

A.甲的施主杂质电离能是乙的8/3，弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/4

B.甲的施主杂质电离能是乙的3/2，弱束缚电子基态轨道半径为乙的32/9

C.甲的施主杂质电离能是乙的16/3，弱束缚电子基态轨道半径为乙的8/3

D.甲的施主杂质电离能是乙的32/9，弱束