Mn掺TiO₂稀磁半导体薄膜的多维度特性研究：磁性、光学与电学.docxVIP

Mn掺TiO?稀磁半导体薄膜的多维度特性研究：磁性、光学与电学

一、引言

1.1研究背景

随着信息技术的飞速发展，对电子器件性能的要求日益提高，自旋电子学应运而生。自旋电子学是一门新兴学科，它利用电子的自旋和磁矩，使固体器件中除电荷输运外，还加入电子的自旋和磁矩，为实现新一代高性能电子器件提供了可能。稀磁半导体（DilutedMagneticSemiconductors,DMS）作为自旋电子学的关键材料，因其独特的磁学和电学性质，受到了广泛关注。

稀磁半导体是指非磁性半导体中的部分原子被过渡金属元素或稀土金属元素取代后形成的磁性半导体。在这种材料中，磁性离子的引入使得半导体同时具有了半导体和磁性的双重特性，从而可以在一种材料中同时应用电子的电荷和自旋两种自由度。这种特性为实现集半导体内性质和磁性于一身的多功能器件提供了可能，也为解决传统电子器件在速率和能量消耗方面的限制带来了希望。

目前，研究最多的稀磁半导体薄膜材料主要分为掺杂过渡金属（如Mn、Co、Fe和Cr等）的II-VI族、III-V族和过渡金属氧化物三类。其中，TiO?基稀磁半导体由于TiO?具有良好的化学稳定性、光学性能和电学性能，以及较高的居里温度，成为了研究的重点与热点。2001年，Y.Matsumoto等人在Science上发表了TiO?掺杂Co的材料具有高于室温居里温度铁磁