半导体器件第5-14部分:光电子器件发光二极管基于热反射法的表面温度试验方法标准立项发展报告
StandardizationDevelopmentReport:SemiconductorDevices-Part5-14:OptoelectronicDevices-LightEmittingDiodes-TestMethodoftheSurfaceTemperatureBasedontheThermoreflectanceMethod
摘要
随着以氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体材料在发光二极管(LED)领域的广泛应用,LED器件功率密
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