CN119535143A 一种基于WOA-BP的SiC MOSFET寿命预测方法 (中国矿业大学).pdfVIP

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  • 2026-09-04 发布于重庆
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CN119535143A 一种基于WOA-BP的SiC MOSFET寿命预测方法 (中国矿业大学).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119535143A

(43)申请公布日2025.02.28

(21)申请号202411595785.1

(22)申请日2024.11.11

(71)申请人中国矿业大学

地址221100江苏省徐州市泉山区中国矿

业大学文昌校区

(72)发明人戴鹏鲍君仪高明畅徐庆

方世琦

(51)Int.Cl.

G01R31/26(2020.01)

G06N3/0499(2023.01)

G06N3/084(2023.01)

G06N3/08(2023.01)

G06N3/006(2023.01)

权利要求书1

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