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2026年半导体物理专业考试卷及详细解析.pdf

2026年半导体物理专业考试卷及详细解析.pdf

    2026年半导体物理专业考试卷含详细解析

    考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

    扩散的电子和空穴在PN结界面附近留下带电离子形成耗尽层并在耗尽层内产生一个由N指向P的内建电场内建电场阻止后续多数载流子的扩散最终达到动态平衡内建电场产生的电势差即为内建电压Vbi解析思路阈值电压Vth是MOSFET器件能够开启漏极电流所需

    一、选择题（每题3分，共30分。请将正确选项的字母填在题后的括号内。）

    1.下列哪个物理量不是描述晶体周期性结构的周期函数？

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