GB-T 48168-2026-半导体器件 基于感性负载开关应力的氮化镓（GaN）晶体管可靠性试验方法标准研究报告.docx

半导体器件基于感性负载开关应力的氮化镓（GaN）晶体管可靠性试验方法标准化发展报告

SemiconductorDevices—ReliabilityTestMethodbyInductiveLoadSwitchingStressforGalliumNitride(GaN)Transistors

标准号：GB/T48168-2026

摘要

氮化镓（GaN）晶体管作为第三代宽禁带半导体器件的典型代表，凭借其高电子迁移率、高击穿场强和优异的开关特性，正在电力电子领域引发深刻的技术变革。然而，GaN器件在感性负载开关工况下面临的可靠性挑战，尤其是动态导通电阻退化、阈值电压