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桥式连接：开启高热导率碳纳米管阵列热界面材料的制备与表征新篇

一、引言

1.1研究背景与意义

随着现代电子技术的飞速发展，电子设备正朝着小型化、集成化和高性能化的方向迈进。在这一发展趋势下，电子设备在运行过程中产生的热量急剧增加。以高性能计算机芯片为例，其功率密度已从过去的几十瓦每平方厘米提升至如今的数百瓦每平方厘米，甚至在一些极端情况下可超过千瓦每平方厘米。如此高的功率密度导致芯片温度迅速上升，如果不能及时有效地散热，芯片的性能将受到严重影响，如运算速度降低、数据处理错误率增加等，长期处于高温状态还会大幅缩短芯片的使用寿命，甚至引发设备故障。据相关研究表明，电子设备的温度每升高10℃，其可靠性就会下降约50%。因此，高效的散热技术成为了保障电子设备稳定运行和性能提升的关键因素。

热界面材料（ThermalInterfaceMaterials，TIMs）作为电子设备散热系统中的关键组成部分，其作用是填充在发热元件与散热装置之间的微小间隙，减少界面热阻，促进热量的有效传递。传统的热界面材料，如聚合物基导热硅脂、导热垫等，虽然在一定程度上能够满足常规电子设备的散热需求，但由于其热导率较低，通常低于50W/（m?K），在面对高功率密度电子设备时，散热效果往往不尽人意。而且，这些传统材料还存在易老化、不耐疲劳和腐蚀等问题，进一步限制了其在高端电子设备中的应用。

碳纳米管（C