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中国散裂中子源漂移管直线加速器高频结构的关键技术与创新突破

一、引言

1.1研究背景与意义

散裂中子源作为当今物质科学研究领域的关键大科学装置，犹如微观世界的“超级显微镜”，在材料科学技术、生命科学、物理、化学化工、资源环境、新能源等众多前沿领域发挥着不可或缺的作用。通过散裂反应产生的高通量中子，能够深入物质内部，与原子核或磁矩发生相互作用并产生散射，科学家们借此可以精准地探测物质在原子、分子尺度上的微观结构和运动规律，从而为解决诸多科学难题提供关键线索。

中国散裂中子源（CSNS）是我国首台、世界第四台脉冲型散裂中子源，填补了国内脉冲中子源及应用领域的空白，其技术和综合性能进入国际同类装置先进行列。漂移管直线加速器（DTL）作为CSNS直线加速器的核心部分，是实现高能质子束流产生的关键技术环节，其高频结构直接决定了加速器对粒子的加速效率、束流品质等关键性能指标。

高频结构通过精确控制的高频电场，为粒子提供持续稳定的加速能量，确保粒子在加速过程中保持良好的运动状态和聚焦特性。一个设计优良的高频结构能够显著提高加速器的整体性能，使得更多的粒子在较短的时间内获得高能量，进而提高散裂中子源产生中子的通量和品质，为科学研究提供更强大的实验手段。

对中国散裂中子源漂移管直线加速器高频结构的深入研究，不仅有助于提升我国在散裂中子源领域的自主创新能力和核心竞争力，实现关键技术的自主可控