CN119849274A 电迁移仿真方法、电子设备、存储介质及程序产品 （武创芯研科技(武汉)有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119849274A

(43)申请公布日2025.04.18

(21)申请号202510331165.5

(22)申请日2025.03.20

(71)申请人武创芯研科技（武汉）有限公司

地址430206湖北省武汉市东湖新技术开

发区高新大道以北、荷英路以西药监

路一号商务项目（中国医药技术交易

市场）B座13层

(72)发明人张适陈宇李丽丹代向阳陈冉余可卢大海

(74)专利代理机构北京智圣方行知识产权代理

有限公司16394

专利代理师张广辉

(51)Int.Cl.

G06F30/23(2020.01)

G06F119/02(2020.01)

权利要求书1页说明书6页附图7页

(54)发明名称

电迁移仿真方法、电子设备、存储介质及程

序产品

(57)摘要

CN119849274A本发明提供了一种电迁移仿真方法、电子设备、存储介质及程序产品。其中，电迁移仿真方法，包括：建立几何模型，对模型进行网格划分生成有限元模型；设定有限元模型的初始条件以及边界条件，对有限元模型进行多物理场耦合分析；在多物理场耦合分析后，在有限元模型中引入生死单元技术，模拟电迁移空洞演化。将模型进行网格划分生成有限元模型，采用有限元法对焊点电迁移失效进行多物理场耦合分