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CN119121397A 硅基外延片厚度均匀性控制装置及控制方法 （浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司）.pdfVIP

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  • 2026-09-07 发布于重庆
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CN119121397A 硅基外延片厚度均匀性控制装置及控制方法 （浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司）.pdf

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN119121397A

    (43)申请公布日2024.12.13

    (21)申请号202411590355.0C30B25/12(2006.01)

    C23C16/52(2006.01)

    (22)申请日2024.11.08

    C23C16/455(2006.01)

    (71)申请人浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限

    公司

    地址323000浙江省丽水市莲都区南明山

    街道绿谷大道309号国际车城15号楼

    11层-241

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