CN119108280A 半导体结构及其形成方法 （浙江创芯集成电路有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119108280A

(43)申请公布日2024.12.10

(21)申请号202411570561.5

(22)申请日2024.11.06

(71)申请人浙江创芯集成电路有限公司

地址311200浙江省杭州市萧山区经济技

术开发区建设三路733号

(72)发明人王爽高大为吴永玉许凯

(74)专利代理机构上海知锦知识产权代理事务

所(特殊普通合伙)31327

专利代理师潘彦君

(51)Int.Cl.

H01L21/336(2006.01)

H01L29/78(2006.01)

H01L29/06(2006.01)