CN119852240A 导电接触孔的制备方法及半导体器件 （青岛澳柯玛云联信息技术有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119852240A

(43)申请公布日2025.04.18

(21)申请号202311339107.4

(22)申请日2023.10.16

(71)申请人青岛澳柯玛云联信息技术有限公司

地址266000山东省青岛市黄岛区太行山

路2号

(72)发明人请求不公布姓名请求不公布姓名请求不公布姓名

(74)专利代理机构上海光华专利事务所(普通合伙)31219

专利代理师贺妮妮

(51)Int.Cl.

H01L21/768(2006.01)

H01L21/311(2006.01)

权利要求书2页说明书7页附图7页

(54)发明名称

导电接触孔的制备方法及半导体器件

(57)摘要

CN119852240A本发明提供一种导电接触孔的制备方法及半导体器件，该制备方法在第一层间介质层与第三层间介质层之间设置具有第一窗口的第二层间介质层，从而可通过该第一窗口的大小控制第二次刻蚀形成的第二刻蚀孔的口径，以降低导电接触孔底部刻蚀的控制难度；另外使第一次刻蚀后形成的第一刻蚀孔的第一部分的最小口径大于该第二层间介质层的第一窗口的口径，从而在刻蚀形成第二刻蚀孔时，易于使孔中的刻蚀副产物排出，降低刻蚀过程中不同图形区域和/或不同晶圆之间的刻蚀产生的负载效应，从而增大了第二次刻蚀时的工艺窗