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40V N沟道MOSFET技术规格书.pdf

40V N沟道MOSFET技术规格书.pdf

    表格

    {

    边框‑折叠:

    折叠;

    }

    表格,

    表头,

    表数据

    {

    边框:

    1px

    实线

    #000;

    }

    FDMS8460

    N沟道Power

    Trench®

    MOSFET

    40V,

    49A,

    2.2mΩ

    特性

    最大r = 2.2mΩ（V = 10V,

    I = 25A）

    最大

    DS(on)GSD

    r = 3.0mΩ（V = 4.5V,

    I = 21.7A）

    DS(on)GSD

    ■

    先进封装与硅技术结合实现低rDS(on)

    MSL1级强健封

    装设计

    100%

    UII测试

    符合

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