SJT 12273-2026《半导体器件封装用烧结银焊膏》标准立项发展报告.docx

SJ/T12273-2026《半导体器件封装用烧结银焊膏》标准立项发展报告

StandardizationDevelopmentReport:SilverSinteringPasteforSemiconductorDevicePackaging

摘要：随着宽禁带半导体（如碳化硅SiC、氮化镓GaN）功率器件在新能源汽车、光伏逆变器、智能电网等高温高频应用场景中的规模化部署，传统钎焊封装材料已难以满足器件在高温（≥200℃）、大电流及剧烈热循环工况下的可靠性与散热需求。烧结银材料凭借其优异的导热导电性能、极高的使用温度阈值和卓越的抗疲劳特性，正逐步成为新一代功率半导体封装的关键互连材料。然而，国内针对半导体器件封装用烧结银焊膏尚无统一的行业标准，导致市场产品质量参差不齐，严重制约了封装工艺的标准化与产业链的规模化协同。在此背景下，SJ/T12273-2026《半导体器件封装用烧结银焊膏》行业标准应运而生。本报告详细阐述了该标准的立项背景、编制必要性、核心关键技术指标（包括烧结密度、剪切强度、孔隙率、热导率及卤素含量等）、主要参与单位及编制过程，并对其未来实施应用做了展望。该标准的制定填补了国内相关领域的标准空白，为高质量、高可靠性的电子封装提供了坚实的技术依据。

关键词：烧结银焊膏；半导体封装；功率器件；行业标准SJ/T12273；可靠性；宽禁带半导体；无压