《纳米制造关键控制特性第5-4部分:用电子能量损失谱(EELS)测量纳米材料的带隙》.docxVIP

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  • 2026-09-09 发布于四川
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《纳米制造关键控制特性第5-4部分:用电子能量损失谱(EELS)测量纳米材料的带隙》.docx

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纳米制造关键控制特性第5-4部分:用电子能量损失谱(EELS)

测量纳米材料的带隙

1范围

本文件规定了用透射电子显微镜的电子能量损失谱测量纳米材料带隙能量的方法。

本文件适用于半导体和绝缘体纳米材料的带隙估算。在满足TEM观测且样品厚度合适的条件下,可获得可靠测量数据;带隙能量的适用测量范围大于2eV。

2规范性引用文件

本文件没有规范性引用文件。

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。

3.1

带隙能量bandgapenergy

电子占据的最高能级与未被电子占据的最低能级之间的能量差。

注1:禁带宽度在IEC60050-113:2011113-06-16中定义为由禁带分隔的两个相邻能带之间的最小能量差。

注2:参见图1。

2

图1带隙能量的定义

3.2

透射电子显微术transmissionelectronmicroscopy(TEM)

利用电子束穿透样品并与样品发生相互作用,以获得样品放大图像或衍射花样的方法。

[来源:ISO29301:2017,3.34,修改]

3.3

扫描透射电子显微术scanningtransmissionelectronmicroscopy(SEM)

采用精细聚焦电子束对样品表面进行扫描,电子束穿透样品并与样品发生相互作用,从而获得样品放大图像或衍射花样的方法。

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