CN119855197A 半导体器件及其制备方法 （合肥晶合集成电路股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119855197A

(43)申请公布日2025.04.18

(21)申请号202510329859.5

(22)申请日2025.03.20

(71)申请人合肥晶合集成电路股份有限公司

地址230012安徽省合肥市新站区合肥综

合保税区内西淝河路88号

(72)发明人王仲盛王文智

(74)专利代理机构华进联合专利商标代理有限

公司44224

专利代理师吴洋

(51)Int.Cl.

H10D30/65(2025.01)

H10D30/01(2025.01)

H10D64/27(2025.01)

H10D64/66(2025.01)

权利要求书2页说明书10页附图5页

(54)发明名称

半导体器件及其制备方法

(57)摘要

CN119855197A本公开提供了一种半导体器件及其制备方法，所述器件包括：衬底，所述衬底内包括间隔的源区和漏区；所述衬底顶面包括位于所述源区和所述漏区之间的栅极结构，所述栅极结构包括沿背离所述衬底的第一方向依次堆叠的栅介电层、复合功函数层和栅极材料层，所述复合功函数层至少包括沿平行于所述衬底的第二方向排布且功函数值不同的第一功函数调节结构、第二功函数调节结构；其中，所述第一功函数调节结构和所述第二功函数调节结构分别包括沿所述第一方向叠