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宽禁带半导体器件高温特性考核试卷

一、单项选择题（每题1分，共30题）

1.宽禁带半导体器件在高温环境下主要面临的挑战是：

A.电流增益下降

B.击穿电压降低

C.集成度提高

D.发光效率增加

2.以下哪种宽禁带半导体材料具有最高的禁带宽度？

A.GaN

B.SiC

C.GaAs

D.InP

3.宽禁带半导体器件在高温下工作时，其漏电流通常会：

A.减小

B.增大

C.不变

D.先增大后减小

4.高温环境下，宽禁带半导体器件的阈值电压通常会：

A.升高

B.降低

C.不变

D.先升高后降低

5.宽禁带半导体器件在高温工作时的主要失效模式是：

A.热击穿

B.化学腐蚀

C.机械疲劳

D.电化学腐