CN119856252A 半导体装置的制造方法及半导体晶圆加工用黏合膜 （株式会社力森诺科）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119856252A

(43)申请公布日2025.04.18

(21)申请号202380041124.1

(22)申请日2023.07.11

(30)优先权数据

2022-1524292022.09.26JP

(85)PCT国际申请进入国家阶段日2024.11.18

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/JP2023/0255852023.07.11

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2024/070132JA2024.04.04

(71)申请人株式会社力森诺科地址日本

(72)发明人茶花幸一佐藤慎田泽强

(74)专利代理机构永新专利商标代理有限公司

72002

专利代理师白丽

(51)Int.Cl.

H01L21/301(2006.01)

H01L21/60(2006.01)

权利要求书1页说明书12页附图1页

(54)发明名称

半导体装置的制造方法及半导体晶圆加工

用黏合膜

(57)摘要

CN119856252A一种半导体装置的制造方法，其包括如下工序：在主面的一方具有多个电极的半导体晶圆的设置有电极的一侧，从黏合剂层侧贴附包括背面研磨带及黏合剂层的层叠体，所述背面研磨带包括基材及形成于该基材上的压敏胶黏剂层，所述黏合剂层形成在压敏胶黏剂