CN119287503A 一种利用超高真空制备衬底掺杂低维过渡金属硫族化合物薄膜的方法 （上海交通大学）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119287503A

(43)申请公布日2025.01.10

(21)申请号202411580356.7

(22)申请日2024.11.07

(71)申请人上海交通大学

地址200240上海市闵行区东川路800号

(72)发明人陈海洋高强陈鹏

(74)专利代理机构上海伯瑞杰知识产权代理有

限公司31227

专利代理师曹莉

(51)Int.Cl.

C30B25/16(2006.01)

C30B25/18(2006.01)

C30B29/46(2006.01)

C30B33/02(2006.01)

C30B25/10(2006.01)