CN119855202A 一种半导体结构及其制造方法 （苏州晶湛半导体有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119855202A

(43)申请公布日2025.04.18

(21)申请号202311330998.7

(22)申请日2023.10.13

(71)申请人苏州晶湛半导体有限公司

地址215123江苏省苏州市苏州工业园区

金鸡湖大道99号西北区20幢517-A室

(72)发明人程凯

(74)专利代理机构北京布瑞知识产权代理有限

公司11505

专利代理师秦卫中

(51)Int.Cl.

H10D62/10(2025.01)

H10D30/01(2025.01)

H10D8/01(2025.01)

H10D62/824(2025.01)

H10D30/47(2025.01)

H10D8/60(2025.01)

H01L21/02(2006.01)

H01L21/265(2006.01)

权利要求书2页说明书5页附图5页

(54)发明名称

一种半导体结构及其制造方法

(57)摘要

CN119855202A本公开提供了一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括衬底；依次设于衬底上的缓冲层以及异质结结构层；其中，缓冲层包括多个沿平行于缓冲层所在平面间隔排布的离子注入区，离子注入区包括杂质离子。本公开在缓冲层间隔注入的杂质离子，可以增加或降低局部载流子浓