CuInS₂与ZnS光电材料：制备工艺、结构表征及性能关联研究.docxVIP

CuInS?与ZnS光电材料：制备工艺、结构表征及性能关联研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在全球工业化进程持续推进的大背景下，能源需求呈迅猛增长态势，传统化石能源的日渐枯竭以及其使用过程中引发的环境污染问题，已然成为阻碍人类社会可持续发展的重大挑战。据国际能源署（IEA）统计数据显示，过去几十年间，全球能源消耗总量不断攀升，而石油、煤炭等化石能源在能源结构中仍占据主导地位，其燃烧产生的大量温室气体，如二氧化碳、二氧化硫等，不仅加剧了全球气候变暖，还导致了酸雨、雾霾等一系列环境问题。在这样严峻的形势下，开发清洁、可再生的新能源迫在眉睫，太阳能作为一种取之不尽、用之不竭的清洁能源，受到了广泛关注。

太阳能电池作为将太阳能转化为电能的关键装置，其发展对于缓解能源危机、改善环境状况具有重要意义。太阳能电池的工作原理基于光电效应，即当太阳光照射到光电材料上时，材料中的电子吸收光子能量后被激发，形成光生载流子（电子-空穴对），这些载流子在材料内部电场的作用下定向移动，从而产生电流。太阳能电池的效率和稳定性在很大程度上依赖于光电材料的性能。

CuInS?作为一种三元化合物半导体，具有诸多优异的光电性能，使其在太阳能电池领域展现出巨大的应用潜力。其禁带宽度约为1.5eV，这一数值接近太阳能电池的最佳禁带宽度（1.45eV），能够有效地吸收太阳光谱中的可见光部分，提高对太阳能的利用效率