CN119392207A 一种改善pecvd设备腔室内铝件耐氟离子腐蚀的方法 (拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司).pdfVIP

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  • 2026-09-10 发布于重庆
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CN119392207A 一种改善pecvd设备腔室内铝件耐氟离子腐蚀的方法 (拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119392207A

(43)申请公布日2025.02.07

(21)申请号202411589532.3C23C16/458(2006.01)

C23C16/509(2006.01)

(22)申请日2024.11.07

(71)申请人拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公

地址110171辽宁省沈阳市浑南区水家900

(72)发明人于棚唐振王卓梁贺茗

张艳喆

(74)专利代理机构上海专利商标事务所有限公

司31100

专利代理师韦东

(51)Int.Cl.

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