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高压沟道IT开关器件技术手册.pdfVIP

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  • 2026-09-10 发布于北京
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高压沟道IT开关器件技术手册.pdf

    HGT1S7N60A4S9A,HGTG7N60A4

    HGTP7N60A4

    数据表2004年9月

    600V，SMPS系列N沟道IGBT特性

    HGT1S7N60A4S9A、HGTG7N60A4和HGTP7N60A4是采用•100kHz在390V、7A下运行

    MOS栅极的高压开关器件，融合了MOSFET和双极晶体管的•200kHz

    在390V、5A下运行

    最佳特性。这些器件具有MOSFET的高输入阻抗和双极晶体

    •600V

    开关

    SOA

    能力

    管

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