SJT 12215-2026 电子级二异丙氨基硅烷 标准立项发展报告.docx

电子级二异丙氨基硅烷标准立项发展报告

StandardizationDevelopmentReport:DiisopropylaminosilaneforElectronicGrade

摘要

随着集成电路制程不断向3nm及以下节点演进，原子层沉积（ALD）和化学气相沉积（CVD）工艺对前驱体材料的纯度、一致性与安全性提出了前所未有的要求。二异丙氨基硅烷（Diisopropylaminosilane，简称DIPAS）作为一种新型氨基硅烷前驱体，凭借其适中的反应活性、优异的阶梯覆盖率和低温成膜特性，已成为先进栅极介质层、间隔层及高深宽比结构填充的关键材料。然而，我国目前尚无专门针对电