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模拟电子技术常用半导体器件·葛中海

Contents本章目录半导体器件基础与核心原理概述01半导体基础知识与PN结02半导体二极管03双极结型三极管04场效应管

CHAPTER01半导体基础知识与PN结从本征半导体到PN结，建立半导体物理的底层认知

IntrinsicSemiconductor本征半导体本征半导体是完全纯净、具有完整晶体结构的半导体材料，其导电性能介于导体与绝缘体之间。温度升高时产生电子-空穴对，载流子浓度随温度呈指数增长，这是半导体区别于导体的核心特征。硅晶体共价键结构与原子排列示意01本征半导体是纯净的硅或锗单晶，原子间以共价键结合形成规则晶格结构02绝对零度时无自由载流子，温度升高产生本征激发，形成电子-空穴对03自由电子和空穴浓度始终相等，均随温度升高呈指数增长04导电性能具有负温度系数，温度越高导电性越强，与金属导体相反

SemiconductorPhysics杂质半导体：N型与P型通过在本征半导体中掺入微量杂质元素，可形成N型或P型半导体，显著提升导电性能。N型以自由电子为多子，P型以空穴为多子，多子浓度主要由掺杂浓度决定，少子浓度受温度影响显著。N型半导体01掺入五价元素（磷、砷、锑），每个杂质原子提供一个自由电子02自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子03导电性能主要依靠电子导电，多子浓度近似等于掺杂浓度P型半导体01掺入三价元素（硼、铝