SJ/T12214-2026《电子级二乙氧基甲基硅烷》标准立项发展报告
StandardizationDevelopmentReport:ElectronicGradeDiethoxymethylsilane
摘要
随着集成电路制程不断向纳米级节点演进,高介电常数(High-K)栅介质材料、低介电常数(Low-K)互联介质及先进存储器件对前驱体材料的纯度与一致性提出了严苛要求。电子级二乙氧基甲基硅烷作为原子层沉积(ALD)和化学气相沉积(CVD)工艺中制备二氧化硅(SiO?)及含硅薄膜的关键前驱体,其质量直接决定沉积薄膜的介电性能、台阶覆盖率和器件可靠性。目前,国内尚无该产品的统一
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