CN119419112A 一种离子注入的均匀稳定性控制方法和系统 （艾恩(山东)半导体科技有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119419112A

(43)申请公布日2025.02.11

(21)申请号202411578549.9

(22)申请日2024.11.07

(71)申请人艾恩（山东）半导体科技有限公司

地址250000山东省济南市高新区山东产

业技术研究院高科技创新园10号楼A

座5层516

(72)发明人黄政

(74)专利代理机构济南众德知识产权代理事务

所(普通合伙)37455

专利代理师刘丽

(51)Int.Cl.

H01J37/317(2006.01)

H01J37/244(2006.01)

C23C14/54(2006.01)

C23C