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CN119451168A 一种p沟道增强型氮化镓晶体管结构及其制造方法 （合肥荃智空天信息超高频半导体研究院有限公司）.pdfVIP

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  • 2026-09-11 发布于重庆
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CN119451168A 一种p沟道增强型氮化镓晶体管结构及其制造方法 （合肥荃智空天信息超高频半导体研究院有限公司）.pdf

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN119451168A

    (43)申请公布日2025.02.14

    (21)申请号202411584856.8H10D64/60(2025.01)

    H10D64/27(2025.01)

    (22)申请日2024.11.07

    H10D64/23(2025.01)

    (71)申请人合肥荃智空天信息超高频半导体研

    究院有限公司

    地址230012安徽省合肥市新站区磨店社

    区文忠路与魏武路交口西南角少荃湖

    科创中心C区5楼501室

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