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- 2026-09-11 发布于河北
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集成电路设计工艺流程
晶体日勺生长
晶体切片成wafer
晶圆制作
功能设计a模块设计a电路设计a版图设计a制作光罩
工艺流程
1表面清
晶圆表面附着一层大概2um的）A12O3和甘油混合液保护之，在制作前必须进
行化学刻蚀和表面清。
2初次氧化
有热氧化法生成SiO2缓冲层，用来减小后续中Si3N4对晶圆日勺应力
氧化技术
干法氧化Si（固+02ASi02（固
湿法氧化Si（固+2H2OaSiO2
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