Co和Mn共掺杂ZnO的第一性原理研究：电子结构、磁性与光学特性的深入剖析.docxVIP

Co和Mn共掺杂ZnO的第一性原理研究：电子结构、磁性与光学特性的深入剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

氧化锌（ZnO）作为一种直接带隙宽禁带半导体材料，室温下禁带宽度达3.37eV，激子束缚能高达60meV，远大于室温热能（26meV），这使得激子在室温下能够稳定存在。其具备较大的室温激子束缚能、良好的化学热稳定性、抗辐射性能以及独特的压电和光电特性，在光电子学、传感器、磁光器件等领域展现出巨大的应用潜力。在光电子领域，ZnO可用于制造紫外探测器、发光二极管（LED）和激光二极管（LD）等器件。由于其在可见光区域具有良好的透明性以及对紫外线（尤其是UVA波段，320-400nm）较强的吸收能力，可用于制作透明导电膜和防紫外线材料，应用于触摸屏、显示器以及防晒产品等。在传感器领域，ZnO对多种气体（如氢气、一氧化碳、甲烷等）具有灵敏的响应，可用于制造气体传感器，检测环境中的有害气体。同时，ZnO在压敏电阻、表面声波器件、太阳能电池等方面也有广泛应用。

然而，单纯的ZnO材料在某些性能上存在一定的局限性，通过掺杂或共掺的方式可以进一步改善其性能，以满足不同应用场景的需求。过渡金属元素具有未充满的d电子壳层，能够与ZnO晶格中的原子产生相互作用，从而显著改变材料的电学、光学和磁学等性能。当过渡金属元素掺入ZnO晶格后，会引入额外的电子或