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2026年秋招：中芯国际真题及答案

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一、单项选择题（每题2分，共10题）

1.半导体中常见的本征半导体材料是（）

A.铜

B.硅

C.铝

D.铁

2.集成电路制造中，光刻工艺主要用于（）

A.掺杂

B.图形转移

C.清洗

D.氧化

3.MOSFET的三个电极不包括（）

A.栅极

B.源极

C.漏极

D.基极

4.芯片制造流程中，离子注入的目的是（）

A.改变半导体导电性

B.去除杂质

C.形成氧化层

D.改善表面平整度

5.以下哪种气体常用于半导体刻蚀工艺（）

A.氮气

B.氧气

C.氯气

D.氢气

6.集成电路封装的主要作用是（）

A.散热和机械保护

B.增加导电性

C.减少功耗

D.提高频率

7.晶体管放大的基本条件是（）

A.发射结正偏，集电结反偏

B.发射结反偏，集电结正偏

C.发射结和集电结都正偏

D.发射结和集电结都反偏

8.晶圆生产中，湿法清洗主要用的溶液是（）

A.硫酸

B.王水

C.去离子水和化学试剂

D.酒精

9.衡量半导体存储器读写速度的指标是（）

A.容量

B.存取时间