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CN119450882A 等离子体产生设备、hdp cvd设备及膜厚优化方法 （拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司）.pdfVIP

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  • 2026-09-11 发布于重庆
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CN119450882A 等离子体产生设备、hdp cvd设备及膜厚优化方法 （拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司）.pdf

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN119450882A

    (43)申请公布日2025.02.14

    (21)申请号202411597506.5

    (22)申请日2024.11.08

    (71)申请人拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公

    司

    地址110171辽宁省沈阳市浑南区水家900

    号

    (72)发明人姜赟康孙宏博

    (74)专利代理机构上海专利商标事务所有限公

    司31100

    专利代理师胡林岭

    (51)Int.Cl.

    H05H1/46(2006.01)

    C23C16/52(2006.01)

    C23C16/505(2006.01)

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