GB/T 48170-2026用于功率转化的氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)动态导通电阻测试方法指南.pdf

  • 1
  • 0
  • 约7.25千字
  • 约 16页
  • 2026-09-11 发布于四川
  • 正版发售
  • 即将实施
  • 暂未开始实施
  •   |  2026-08-28 颁布
  •   |  2027-03-01 实施

GB/T 48170-2026用于功率转化的氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)动态导通电阻测试方法指南.pdf

ICS31.080.01

CCSL40

中华人民共和国国家标准

/—/:

GBT481702026IEC633732022

用于功率转化的氮化镓高电子迁移率晶体管

()

GaNHEMT动态导通电阻测试方法指南

Dnamicon-resistancetestmethoduidelinesforGalliumNitrideHih

ygg

()

ElectronMobilitTransistorGaNHEMTbasedowerconversiondevices

yp

(:,

IEC63373

您可能关注的文档

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档